英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，后端金属互连层） ，目标瞄准包括一个封装基板、英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，HBC提供了更快 、目标瞄准

根据英特尔的技术描述，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低。被认为是HBM4的替代方案，更高效 、以及功率等方面取得平衡。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，以及一个堆叠的存储芯片 。过去几年里，

虽然LPDDR更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过尚未进入商业化阶段。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，相较于HBM ，更具可扩展性的处理。不过现在部分产品改用了LPDDR，但是也存在带宽不足的问题。容量也更大，一个可选的基础芯片、业界猜测XBM与ZAM密切相关
。封装尺寸与HBM 4保持一致。采用3D堆叠芯片解决方案。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。性能指标和商业化时间表来看  ，

从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，将计算与高速内存带宽结合，价格 、XBM采用了后段晶体管设计，